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厂商型号

NTZD3152PT1H 

产品描述

Trans MOSFET P-CH 20V 0.43A T/R

内部编号

277-NTZD3152PT1H

生产厂商

on semiconductor

onsemi

#1

数量:28000
8000+¥0.6086
最小起订量:8000
美国费城
当天发货,5-8个工作日送达.
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#2

数量:714400
1+¥1.0017
25+¥0.9246
100+¥0.8475
500+¥0.8475
1000+¥0.7705
最小起订金额:¥₩600
新加坡
当天发货,5-8个工作日送达.
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#3

数量:6859
1+¥2.7351
10+¥1.8188
100+¥1.012
1000+¥0.7385
4000+¥0.6359
24000+¥0.547
48000+¥0.5265
100000+¥0.4923
最小起订量:1
美国加州
当天发货,1-3个工作日送达.
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订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

NTZD3152PT1H产品详细规格

规格书 NTZD3152PT1H datasheet 规格书
渠道类型 P
通道模式 Enhancement
最大漏源电压 20 V
最大连续漏极电流 0.43 A
RDS -于 900@4.5V mOhm
最大门源电压 ±6 V
典型导通延迟时间 10 ns
典型上升时间 12 ns
典型关闭延迟时间 35 ns
典型下降时间 19 ns
工作温度 -55 to 150 °C
工厂包装数量 4000
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage - 20 V
晶体管极性 P-Channel
系列 NTZD3152P
品牌 ON Semiconductor
Id - Continuous Drain Current - 430 mA
安装风格 SMD/SMT
封装 Reel
通道数 2 Channel
Rds On - Drain-Source Resistance 900 mOhms
封装/外壳 SOT-563-6
晶体管类型 2 P-Channel
技术 Si
RoHS RoHS Compliant

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